京东方华灿光电申请晶体管及其制作方法专利,属于半导体器件领域:光电器件

金融界2025年8月23日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法”的专利,公开号CN120529609A,申请日期为2025年04月光电器件

专利摘要显示,本公开提供了一种晶体管及其制作方法,属于半导体器件领域光电器件 。所述晶体管包括:沟道层、势垒层、帽层、插入层、P‑GaN层、源极、漏极、钝化层、刻蚀阻挡层和栅极;所述势垒层、所述帽层和所述插入层、所述钝化层依次层叠在所述沟道层上,所述势垒层、所述帽层、所述插入层和所述钝化层上开设有至少延伸到所述势垒层的源极凹槽和漏极凹槽,所述钝化层上开设有延伸到所述插入层的栅极凹槽;所述源极位于所述源极凹槽内且与所述沟道层相连,所述漏极位于所述漏极凹槽内且与所述沟道层相连,所述P‑GaN层和所述刻蚀阻挡层依次层叠在所述栅极凹槽内,所述栅极位于所述钝化层上且与所述刻蚀阻挡层连接。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业光电器件 。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(苏州)有限公司参与招投标项目91次,专利信息566条,此外企业还拥有行政许可49个。

来源:金融界

本站内容来自用户投稿,如果侵犯了您的权利,请与我们联系删除。联系邮箱:835971066@qq.com

本文链接:http://www.szdfklt.com/post/167.html