金融界2025年7月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种光学芯片结构及其制备方法”的专利，公开号CN120386109A，申请日期为2025年04月光学薄膜 。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学芯片结构及其制备方法光学薄膜 。该光学芯片结构包括支撑衬底，位于支撑衬底一侧表面的第一隔离层，位于第一隔离层的远离支撑衬底一侧表面的光电薄膜层，光电薄膜层设置有至少一个第一区域和第二区域，第一区域形成有脊形波导结构，第一区域的电阻高于第二区域的电阻，第二区域的低电阻能够及时传导由于光电薄膜层的光折变效应或光生伏特效应所产生的电荷，避免了由于单晶薄膜内及单晶薄膜界面处产生非均匀电场导致电光调制器出现偏置点随时间变化的问题，同时第一区域的高电阻保证了薄膜层的透光率，第一区域形成的脊形波导结构降低了结构的光损耗。
天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业光学薄膜 。企业注册资本37233.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界