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南京国兆光电取得空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构专利:光电器件
金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，南京国兆光电科技有限公司取得一项名为“一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构”的专利，授权公告号CN116209295B，申请日期为2022年1
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和辉光电获得发明专利授权：“一种OLED器件及其制备方法”:光电器件
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示和辉光电（688538）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种OLED器件及其制备方法”，专利申请号为CN202211267902.2，授权日为2025年9月26
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