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  • 上海新硅聚合申请光学芯片结构及其制备方法专利,避免由于单晶薄膜内及单晶薄膜界面处产生非均匀电场导致电光调制器出现偏置点随时间变化的问题:光学薄膜

    上海新硅聚合申请光学芯片结构及其制备方法专利,避免由于单晶薄膜内及单晶薄膜界面处产生非均匀电场导致电光调制器出现偏置点随时间变化的问题:光学薄膜

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    金融界2025年7月30日消息,国家知识产权局信息显示,上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种光学芯片结构及其制备方法”的专利,公开号CN120386109A,申请日期为2025年04月光学薄膜

    2025-10-15
1 共1页

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